Cornell University
Najtanji tranzistor na svijetu je debljine od 3 atoma
Ovaj napredak u tranzistorskoj tehnologiji omogućit će dolazak ultratankih elektroničkih uređaja.
Znastvenici Sveučilišta Cornell objavili su znanstveni rad u publikaciji Nature, u kojem opisuju svoj veliki napredak u tehnologiji tranzistora. Ekipa je razvila novu i visoko učinkovitu metodu u proizvodnji eksperimentalnog materijala poznatog kao TMD (transition metal dichalcogenide), koji predstavlja izvanredno tanak, ali visoko provodan film koji se može koristiti za radne potrebe i namjene, pa se između ostaloga može primjenjivati u sunčevim ćelijama i savitljivim nosivim gadgetima koji će biti ultratanki i lagani. Kao najvažnija stvar ove metode je njihova tehnologija izrade, koja kako kažu, "nudi mogućnost izrade na velikoj skali", što znači da se ova tehnologija relativno lako može izvući iz znanstvenih laboratorija i uvesti u industrijske pogone.
TMD poput sličnih novih "čudotvornih" materijala poput grafena, može pomoći u održavanju Moorevog zakona, donošenjem stabilnog i kompaktnog supstrata na koji inženjeri mogu postavljati sve veći broj sklopova.
Obzirom da se radi o debljini od samo tri atoma, TMD je vrlo podložan pucanju, no metoda izrade koju koristi Cornell mu znatno poboljšava izdržljivost, jer su znanstvenici miješali otopinu dietilsulfida i metalnog heksakarbonila na silicijskom waferu i tada sve "zapekli" 26 sati u vodiku.
Od 200 takvih wafera koji su se koristili u studiji, samo dva nisu ispala dobro, što je uspješnost od 99 posto.
Ova tehnologija je za sada još uvijek nekoliko godina udaljena od komercijalne dostupnosti, no već se može vidjeti dolazak nove ere moćne elektronike tanke poput papira.
Izvor: Cornell
Učitavam komentare ...