MIT
Znanstvenici proizveli najmanji 3D tranzistor na svijetu
Proces koji modificira poluvodički materijal atom po atom mogao bi se koristiti za elektroniku visokih performansi.
Na slici je presjek jednog od tranzistora koji je veličine od samo 3 nanometra. Photo Credit: MIT, Courtesy of the researchers
Znanstvenici MIT-a i njihovi kolege sa Sveučilišta u Coloradu proizveli su 3-D tranzistor koji je upola manji od današnjih najmanjih komercijalnih tranzistora. Kako bi to postigli, razvili su novu mikro proizvodnu tehniku koja modificira poluvodički materijal atom po atom pomoću procesa koji se naziva Termički ALE (thermal atomic level etching), kako bi kemijskim graviranjem (ili jetkanjem) manipulirali poluvodičkim materijalom na atomskoj razini.
Korištenjem te tehnike izradili su 3-D tranzistore veličine od samo 2,5 nanometra koji su ujedno učinkovitiji od postojećih najmanjih komercijalnih tranzistora.
Konačni rezultat su sićušni FinFET 3-D tranzistori nalik na one koji se koriste u mnogim današnjim elektronskim uređajima, a znanstvenici su ustanovili da su usprkos upola manjoj veličini za 60 posto bolji od postojećih FinFETova po vodljivosti.
Zahvaljući ovome, mikroprocesori bi uskoro mogli dobiti još više tranzistora i postati još manji, a Mooreov zakon će i dalje biti održiv.
Ove godine došlo je do globalnog povećanja emisija CO2 u atmosferu za 3 posto.
IRB predstavio prvi uspješno dovršeni projekt u Hrvatskoj financiran iz ESIF fondova.
Učitavam komentare ...